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蓝宝石


名称：蓝宝石/氧化铝(Al2O3)晶体基片

Al2O3单晶（Sapphire，又称白宝石，蓝宝石）有着很好的热特性，极好的电气特性和介电特性，并且防化学腐蚀，它耐高温，导热好，硬度高，透红外，化学稳定性好。广泛用于耐高温红外窗口材料和III-V族氮化物及多种外延薄膜基片材料，为满足日益增长的蓝、紫、白光发光二极管（LED）和蓝光激光器（LD）的需要，科晶公司专业生产高质量的蓝宝石晶体和外延抛光基片，将为您提供大量高质量低价格的单晶和基片

晶体结构：

六方  a =4.758 ?   c= 12.992 ?

结晶方向：

(11-20 ) - a plane：2.379 ?  (1-102) - r plane：3.479?

(30-30) - m plane：1.375 ?  (0006) - c plane：2.165 ?

单晶纯度：

> 99.99%

熔点：

2040 ℃

密度：

3.98  g/cm3

硬度：

9 (mohs)

热膨胀：

7.5 (x10-6/ oC)

热容：

0.10( cal / oC)

热导：

46.06 @ 0 oC  25.12 @ 100 oC,  12.56 @ 400 oC ( W/(m.K) )

介电常数：

~ 9.4 @300K  at A axis    ~ 11.58@ 300K at C axis

正切损耗：

< 2x10-5 at A axis , <5 x10-5 at C axis

1、 C-Plane蓝宝石基板

广泛使用的供GaN生长的蓝宝石基板面.这主要是因为蓝宝石晶体沿C轴生长的工艺成熟、成本相对较低、物化性能稳定,在C面进行磊晶的技术成熟稳定。

2、R-Plane或M-Plane蓝宝石基板

主要用来生长非极性/半极性面GaN外延薄膜,以提高发光效率.通常在蓝宝石基板上制备的GaN外延膜是沿c轴生长的，c轴是GaN的极性轴，导致GaN基器件有源层量子阱中出现很强的内建电场，发光效率会因此降低，发展非极性面GaN外延，克服这一物理现象，使发光效率提高。

3、 图案化蓝宝石基板(Pattern Sapphire Substrate简称PSS)

以成长(Growth)或蚀刻(Etching)的方式,在蓝宝石基板上设计制作出纳米级特定规则的微结构图案藉以控制LED之输出光形式，并可同时减少生长在蓝宝石基板上GaN之间的差排缺陷，改善磊晶质量，并提升LED内部量子效率、增加光萃取效率。

4、此外，可按客户要求加工定制蓝宝石棱镜、表镜、透镜、孔件、锥台等各种结构件。

晶向：

C, A, M, R   公差：±0.5度

尺寸：

dia6“x1.1mm     dia4”x0.65mm  dia3“x0.5mm,  dia2”x0.43mm,10x10x0.4mm,15x15x0.4mm, 15x15x0.4mm, 20x20x0.4mm等各种尺寸

抛光情况：

单抛、双抛

表面粗糙度：

Ra<3A（5*5μm范围内）

注：可按客户需求定制相应的方向和尺寸。

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