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氧化硅片

二、氧化硅片（国产/进口）

1-8英寸直拉CZ、区熔FZ、单双面氧化硅片；超薄5nm至超厚10um氧化层均可提供；

专利干氧离子分层氧化均匀性<1%，氧化层致密无漏电，各种特殊厚度要求均可提供；

可提供100nm.285nm、300nm、500nm、1um、2um等不同尺寸进口氧化硅片；

二、氧化硅片参数信息概要


生长方式/Growth

Thermal oxidation 热氧化（1、干氧/ 2、干氧+湿氧+干氧）

等级/Grade

Prime                      Coating thickness: 5nm to 10000nm±1%超平整氧化厚度均匀性<1%；

直径/Diameter

4inch /100mm  (1 inch – 8 inch / 25.4mm – 200mm)

厚度/Thickness

50nm、100nm、200nm、285nm、300nm、500nm、800nm、1um、2um、3um、5um、8um、10um, etc.5nm到10um各种厚度均可定制.

表面状态/Finish

SSPDSP，etc.单抛单面氧化、单抛双面氧化、双抛单面氧化、双抛单面氧化等；

晶向/orientation

（100）（111）（110）（211）（311）（511）(531)，etc.

晶向偏角/Off cut

up to 7deg

掺杂类型/Type/Dopant

P/B,N/Phos，N/Sb，N/As，Intrinsic

电阻率/Resistivity

CZ/MCZ: From 0.001 to  100 ohm.cm


FZ:     From 100 to >20000 ohm.cm

薄膜/Thin films

PVD:Al、Ni、Cu、Ti、Ag、Au、Pt、Fe、Mo，etc.     Coating thickness: up to 3000nm±5%


LPCVD/PECVD:Oxide、Nitride、TEOS、LTO、SIPOS、SiC、POLY、etc.  Coatingthickness: up to 3000nm±3%


Thermal oxidation:Oxide     Coatingthickness: 5nm to 10000nm±1%


Silicon epitaxial wafers and epitaxial services（SOS、GOI、SOI、GaN、GaAs、InP,etc.)

加工服务/Processes

定制单双抛单双面氧化硅片、超薄、超厚、超平氧化硅片、切割不同尺寸、不同形状，打孔氧化硅片；

SSP,DSP,ultrathin，ultra flat，etc.


打孔、掏圆、切割、减薄/Punch、Downsizing、dicing、back grinding，etc.


微纳加工/MEMS；定制各种氧化层厚度，各种条件组合的氧化硅片，超薄氧化，超厚氧化；


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